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掠入射XRD(GIXRD) 所屬欄目:能譜類

介紹

掠入射X射線衍射(GIXRD)是一種讓X射線略過樣品表面的技術(shù),能夠通過調(diào)節(jié)入射角度從而改變探測(cè)深度,對(duì)表面的靈感度可高達(dá)致幾nm,這種技術(shù)能夠更真實(shí)全面地表征出薄膜(特別是共輒聚合物薄膜)的微結(jié)構(gòu)。


優(yōu)勢(shì)

1.測(cè)試光是平行光,相對(duì)于常規(guī)的衍射光來說能量較小,因此掠入射測(cè)試XRD的譜圖絕對(duì)峰強(qiáng)相對(duì)較弱。但是平行光可以更好的關(guān)注薄膜表面的信息,也不容易測(cè)到基底,因此掠入射XRD專門用于測(cè)試薄膜樣品。

2.GIXRD的入射角非常小,導(dǎo)致X射線的穿透率減小,這樣衍射所反應(yīng)的表面物相形貌更加精確。掠入射X射線衍射適用于研究薄膜晶體結(jié)構(gòu),不僅可以增強(qiáng)衍射峰信號(hào),還可以得到三維結(jié)構(gòu)信息。


樣品要求

1.薄膜尺寸沒有特別要求,但是需要測(cè)試面平整光潔,不要有遮擋物,這樣測(cè)試結(jié)果才真實(shí)可信;

2.樣品整體長寬1cm;

3.鍍層或者薄膜厚度一般不要低于50nm,否則可能測(cè)不出信號(hào);

4.粉末、液體等其他無法測(cè)試。


結(jié)果展示



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