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介紹

霍爾效應(yīng)測(cè)試儀，主要用于研究半導(dǎo)體材料/光電材料的電學(xué)特性，可以測(cè)量材料在不同溫度、磁場(chǎng)下的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)及載流子類型。而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測(cè)試

儀是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必備的工具。

可測(cè)試材料

1.半導(dǎo)體材料：SiGe， S1C， InAs， InGaAs， InP， A1GaAs， HgCdTe和鐵氧體材料等等。

2.低阻抗材料：金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR材料等。

3.高阻抗材料：半絕緣的GaAs, GaN, CdTe等。